Właściwości półprzewodników

polprzewJedną z ważnych własności półprzewodników jest zależność między zjawiskami elektrycznymi i optycznymi. Zależność taką wykryto po raz pierwszy w selenie. Stwierdzono mianowicie, że rezystywność jednej z odmian alotropowych selenu znacznie maleje pod wpływem naświetlania. Podobne własności wykazują również związki talu, siarki i tlenu, czyli tzw. talofidy, oraz siarczek kadmu, siarczek ołowiu i inne. Uczulenie niektórych materiałów półprzewodnikowych wykracza poza zakres promieniowania widzialnego i sięga głęboko w podczerwień. Prócz własności fotoelektrycznych, szeroko wykorzystywanych w praktyce, duże znaczenie mają zjawiska kontaktowe, występujące na granicy półprzewodnika i metalu lub dwóch rodzajów półprzewodników niesamoistnych. W miejscu styku dwóch różnych materiałów wartość rezystancji w pewnych przypadkach zależna jest w znacznym stopniu od kierunku przepływu prądu. Zjawisko asymetrii wykorzystuje się do budowy prostowników, diod krystalicznych oraz tranzystorów. Niektóre przyrządy półprzewodnikowe, jak np. komórki zbudowane z tlenku miedziawego wytworzonego na powierzchni czystej miedzi, po skierowaniu na nie promieniowania widzialnego stają się źródłem prądu elektrycznego. Opisane zjawisko nosi nazwę fotowoltaicznego i jest wykorzystywane np. do pomiaru natężenia promieniowania.

Dodaj komentarz

Twój adres email nie zostanie opublikowany. Pola, których wypełnienie jest wymagane, są oznaczone symbolem *